La lithographie extrême ultraviolet (EUV) fait actuellement l'objet d'intenses recherches dans le monde entier et ceci dans un effort international concerté. L'EUV est considérée maintenant comme la technologie la plus viable pour remplacer, aux alentours de 2009, la lithographie optique classique. Le rayonnement EUV fait partie de la gamme des X-mous, soit une longueur d'onde de 13,5 nm. La lithographie EUV permettra la production à grande échelle de puces dont les tailles de motifs sont inférieures ou égales à 32nm. Cette taille minimum de motif réalisable est régie par la diffraction de la lumière qui est employée dans le processus lithographique. Elle dépend donc de la longueur d'onde de la source lumineuse (relation de Rayleigh). Ce besoin croissant d'utiliser des longueurs d'onde de plus en plus petites est une conséquence de la miniaturisation des circuits. Lors d'une présentation programmée à l'occasion du 5ème colloque international sur la lithographie EUV qui s'est tenu à Barcelone du 15 au 19 Oct. 2006, des chercheurs de l'Université de Floride à Orlando (UCF) ont indiqué qu'ils avaient réussi à coupler un laser de forte puissance à un laser de source plasma, créant un outil efficace pour l'usage d'EUV. La source de lumière produite était d'une puissance 30 fois supérieure à ce qui se faisait d'ordinaire. Cette technologie unique développée par UCF repose sur une conversion de la lumière laser en EUV, avec une élimination efficace des particules neutres et chargées qui sont associées à la source plasma. L'étude a été menée avec l'aide de Powerlase Ltd, une entreprise anglaise qui a fourni aux chercheurs le laser de forte puissance. Ces travaux de recherche ont été dirigés par le Professeur Martin Richardson, Directeur du Laser Plasma Laboratory à UCF. Son équipe travaille sur les applications des lasers haute puissance et particulièrement le développement de source de lumière EUV et des systèmes optiques à rayons X avancés.
