NEC Corp. a développé un module LCD qui rassemble ses différentes puces sur un substrat de verre, y compris le LSI qui comporte la mémoire du LCD. C'est le premier module LCD au monde à avoir sa DRAM sur le verre et c'est également le plus grand nombre de transistors (400.000) pour un système LSI sur substrat de verre. Les écrans actuels contiennent des puces gérant les pixels sur le substrat mais le LSI comportant la mémoire est embarquée sur une plaque différente rattachée au module.
La puce du système inclut non seulement la mémoire DRAM mais aussi un convertisseur numérique-analogique de 6 bits et d'autres fonctions nécessaires à l'affichage comme l'encodeur d'image, un décodeur et un contrôleur. Le tout est intégré sur un film fin de polysilicium sur le substrat de verre.
La fabrication "on-glass" (sur couche de verre) permet de limiter le nombre de puces périphériques et diminue les coûts ainsi que l'épaisseur des téléphones portables et autres périphériques incorporant ces écrans LCD. Le temps de fabrication est environ divisé par deux car la fabrication séparée du périphérique LSI n'est plus nécessaire.
Le prototype élaboré par NEC est un écran TFT (Thin Film Transistor) de 1,1 pouce de diagonale et de 160*120 pixels. La DRAM peut stocker 230 kilobits et la vitesse d'affichage est de 30 fps (images par seconde). La technologie de compression/décompression propriétaire de NEC permet une bonne qualité d'image de 18 bits (soit 260.000 couleurs), une surface totale du circuit réduite et donc une faible consommation. La diminution de la consommation s'explique également par le signal qui n'a pas besoin d'être envoyé quand l'image ne change pas: la dernière image est dans la mémoire qui est, de plus, très proche des pixels. Pour garantir un arrangement des pixels RVB (Rouge Vert Bleu) donnant de meilleurs détails et de plus grands contrastes, NEC a optimisé la disposition des cellules de mémoire par rapport aux pixels.
NEC espère avoir une version commercialisable dans deux ou trois ans. Le prototype est présenté au symposium SID2007 de Longbeach (Californie) le 24 mai 2007.
