Un groupe de l' Université de Ritsumeikan (Kyoto) avec l'aide du NEDO (New Energy and industrial technology Development Organization) a développé un amplificateur haute fréquence capable de doper jusqu'à 208 Watts un signal de 5 GHz. L'amplificateur est fait à base de transistors HFET en nitrure de gallium pour une bonne stabilité et un grand gain. La puissance atteinte de 208 Watts est annoncée comme deux fois plus importante que celle des amplificateurs actuels.
Il pourra être utilisé pour les hautes fréquences des transformateurs électriques des réseaux sans fil 4G. Le WiMAX, qui tend à faire converger les technologies sans fil et la téléphonie mobile dans les réseaux de zones métropolitaines (MAN) et qui comporte la bande de fréquence autour des 5 Ghz, pourra se servir de cet amplificateur pour couvrir de plus grandes distances.
NEC participera à l'élaboration de la version pratique de ces appareils hautes fréquences qui paraîtra en 2009. Les wafers de Nitrure de Gallium seront fournis par Toyoda Gosei.
