En maîtrisant les contraintes appliquées aux processeurs à une échelle nanométrique.
Le problème est que jusqu'à ce jour, ces contraintes restaient difficilement observables. Or grâce à une invention d'une nouvelle technique d'holographie électronique, qui permet de mesurer des champs magnétiques et électriques, il est dorénavant possible d'obtenir une cartographie des déformations d'un réseau cristallin avec une précision et une résolution jamais atteintes. Conçue par des chercheurs du Centre d'Elaboration de Matériaux et d'Etudes Structurales (CEMES-CNRS), celle-ci a de quoi séduire puisqu'elle permet de mesurer les déformations (compression, tension et cisaillement) de nombreux matériaux avec une très grande précision, supérieure à 0,1% soit 0,5 picomètre, et une non moins grande résolution spatiale, de l'ordre du nanomètre. Mais le plus important en matière d'innovation par rapport aux techniques traditionnelles est que l'on peut analyser des régions très étendues, de l'ordre de 1 micromètre contre 100 nanomètres auparavant, avec une précision jamais obtenue précédemment.
Ajoutons que cette technique, brevetée par le CNRS depuis septembre 2007, présente bien d'autres avantages. Ainsi le dispositif mis au point permet l'étude d'échantillons dix fois plus épais qu'auparavant, soit 300 nm. D'où la garantie d'une observation fidèle à la réalité. En effet, plus l'échantillon est épais, moins les contraintes sont relâchées, et plus les contraintes mesurées sont proches de celles présente dans un vrai dispositif. De plus, contrairement aux autres techniques nécessitant un certain nombre de simulations préalables, la mesure est directe. A terme, cette technique pourrait devenir la méthode phare pour mesurer les déformations d'un réseau cristallin à l'échelle nanométrique, permettant ainsi d'optimiserr la modélisation des contraintes des transistors et leur performance électrique.
