La division de l'Institut Fraunhofer de fiabilité et de microintégration (IZM) localisée à Chemnitz (Saxe) est devenue, depuis le 1er juillet 2008, une institution à part entière au sein de la Société Fraunhofer. Maintenant connue sous le nom ENAS (Elektronische Nanosysteme), elle sera dirigée par le Professeur Thomas Geßner, également Directeur du Centre pour les microtechnologies à l'Université technique de Chemnitz.
"Nous continuons les travaux existants dans les domaines des micro- et nanosystèmes, de la fiabilité et de la 'Smart Systems Integration'. Le Back End of Line (finalisation de processus de fabrication) pour la micro- et nanoélectronique ainsi que l'intégration en trois dimensions font toujours partie de nos thèmes de recherche. Les contacts et les connexions des composants sur les wafers de silicium seront également autant de sujets de nos activités. Comme le nom de ce nouveau département Nanosystèmes électroniques l'indique, nous traitons dans leur globalité les aspects du nanomonde", a affirmé le Professeur Geßner. "Qui plus est, nous conservons nos partenaires de coopération et établissons de nouvelles collaborations". Celles-ci se font avec les autres départements de l'IZM, avec l'industrie de Saxe ainsi qu'avec des centres de recherche en Allemagne et à l'étranger.
L'un des défis majeurs auxquels les scientifiques de l'ENAS doivent faire face est le câblage de milliards de transistors sur un circuit intégré. Par ailleurs, ces derniers deviennent de plus en plus petits et toujours plus performants. La rapidité avec laquelle le signal circule dans le circuit intégré dépend beaucoup du système d'interconnexions qui, bien souvent, limite cette vitesse. Ainsi, en coopération avec des entreprises comme AMD, Qimonda et Infineon, les chercheurs de l'ENAS travaillent sur le développement d'un nouveau système de matériaux qui permettrait d'accélérer ce signal.
