Le Ministère de l'Education, de la Science et de la Technologie (Ministry of Education, Science and Technology, MEST) a indiqué en juillet dernier qu'une équipe de chercheurs coréens dirigée par le Prof. CHOI Yang-Kyu du Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) a développé une nouvelle génération de carte mémoire appelée United RAM (URAM) ou RAM Unifiée qui combine les avantages de la mémoire flash et de la DRAM (Dynamic RAM).
Contrairement à la DRAM, la mémoire flash sauvegarde les données même hors tension, lui permettant d'être adaptable à tous les appareils électroniques portables comme les appareils téléphoniques. Sa capacité de sauvegarde est stable et non versatile. En revanche, le traitement de données est souvent critiqué comme trop lent. C'est une des raisons pour laquelle l'équipe du Prof. CHOI a ajouté la technologie Flash à la DRAM. Les puces URAM sauvegarderont ainsi des données même hors tension et les traiteront plus rapidemment.
Il est envisageable de fabriquer cette nouvelle puce en série puisque les processus de conception des puces existantes peuvent être utilisés pour la fabrication de ce nouveau type de matériel. "Alors que la DRAM est seulement utilisée pour les Personnal Computer et les mémoires flash uniquement pour les appareils électroniques portatifs, l'URAM est destinée à ces deux marchés jusqu'ici distincts" indique le professeur.
