Les propriétés des dispositifs intégrés nanophotoniques et nanoélectroniques sont affectées par de faibles variations au niveau de la structure des semiconducteurs nanofils. Une nouvelle méthode a été développée pour détecter de possibles variations structurales le long de l'axe de croissance d'un nanofil ou entre plusieurs nanofils par des physiciens de l'Université de Nouvelle-Galles du Sud et de l'Université Nationale Australienne (ANU).
La technique combine microphotoluminescence et piégeage optique. Celle-ci a été mise au point pour caractériser les propriétés structurales de semiconducteurs nanofils en phosphure d'indium InP en suspension, qui ont été fabriqués par épitaxie en phase vapeur d'organométalliques (MOCVD). Selon les conditions de croissance, les nanofils sont composés d'un ou de deux polytypes cristallins (cubique ou hexagonal). Les nanofils InP en suspension possèdent un diamètre compris entre 34 et 39 nm et une longueur comprise entre 5 et 15 micro-m.
Le système expérimental comporte un piège optique, c'est-à-dire un dispositif qui utilise un faisceau laser (émettant à une longueur d'onde de 1064 nm) fortement focalisé pour capturer une microparticule. Les nanofils capturés et orientés sont exposés à un autre rayonnement (de longueur d'onde égale à 514.5 nm) et la lumière émise par les échantillons est analysée à l'aide d'un spectromètre.
Cette méthode permet d'identifier des polytypes cristallins et les défauts d'empilement et donc de sélectionner les composants avant leur incorporation dans des dispositifs intégrés. L'usage de cette méthode n'est pas limité aux nanofils InP mais convient à tous types de nanofils actifs qui peuvent être piégés en utilisant un système de pinces optiques.