2003/04/07 > Japon > Les avancées scientifiques et technologiques dans le domaine des matériaux magnétiques

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	Les avancées scientifiques et technologiques dans le domaine des matériaux magnétiques http://www.bulletins-electroniques.com/rapports/smm03_024.htm Publié le 7/04/2003 - 25 pages - pdf 864 Ko Auteurs : PHONEBANHDITH Alain Un champ de recherche important au Japon est celui de la magnétronique qui combine la microélectronique classique et l'effet "spin". L'effet de la magnétorésistance tunnel (TMR) dans les matériaux ferromagnétiques, les isolants et les jonctions ferromagnétiques est important et joue un rôle majeur dans la physique fondamentale et appliquée depuis sa découverte à température ambiante. Il existe un intérêt particulier de la part des industriels japonais pour cet effet TMR car la technologie de fabrication est la même que celle employée pour les semiconducteurs, avec une application potentielle pour les mémoires vives magnétiques (MRAM ou Magnetic Random Access Memory) et les têtes de lecture magnétique. Les effets TMR et GMR (magnétorésistance géante) combinés aux techniques de nanofabrication peuvent constituer la clé qui permettrait un stockage de très haute densité (900 Gbit/cm2 ou même plus) dans un futur proche. Le record mondial actuel est détenu par Fujitsu qui a conçu un disque dur d'une densité de stockage de 270 Gbit/cm2 (Novembre 2002) Cette dépêche présente les différentes tendances en R&D sur la spintronique au Japon, incluant notamment les systèmes magnétiques de basse dimensionnalité et l'association de ces systèmes aux semiconducteurs, et expose l'actualité des avancées de certains laboratoires japonais. Au sommaire de ce document : Introduction I. Effet GMR et TMR 1.1. Bref Rappel sur la magnétorésistance géante (GMR) et la magnétorésistance tunnel 1.1.1. L'effet GMR 1.1.2. L'effet TMR et les jonctions magnétiques tunnel (TMJ) 1.2. Les tendances dans les GMR et TMR au Japon 1.3. Progrès des recherches sur la TMR à 300K depuis 1997 1.4. Les différents progrès à venir 1.5. Quelques récentes avancées du Nano Electronics Research Institute (NeRI) de l'AIST 1.5.1. Effet de la taille quantique sur la magnétorésistance tunnel 1.5.2. Un nouveau phénomène d'effet tunnel polarisé en spin 2. Les matériaux magnétiques de basse dimensionnalité recherches menées dans quelques laboratoires 2.1. Université d'Osaka 2.2. Université de Kyoto 2.3. Université de Tohoku 2.4. Université de Tokyo 3. Nouvelle génération de matériaux associant les métaux magnétiques aux semi-conducteurs 3.1. Identification et développement de semiconducteurs ferromagnétiques par l'AIST 3.2. Effet magnétorésitif dans les structures granulaires Métal/Semiconducteur 3.3. L'injection de spin dans une hétérojonction semiconductrice et structure de résonance tunnel 3.4. Le contrôle du spin et sa cohérence dans les semiconducteurs		Version imprimable >> Transmettre cette info par email >> Recommander ce site à un collègue / ami >> S'abonner aux BE >> FAQ / foire aux questions >> Conditions d'utilisation >>
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origine :	Ambassade de France au Japon / ADIT - http://www.bulletins-electroniques.com/rapports/smm03_024.htm

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